文稿：王冰冰 | 攝影：周華陽
2024年3月25日下午，由澳门太阳集团9728网站團委、研究生會和中國計算機學會CCF澳门太阳集团9728网站學生分會共同主辦的 “計電講壇”系列活動第14期學術報告會在學院一樓報告廳舉行。本次活動邀請了華中科技大學的王智強教授以“碳化矽(SiC)功率模塊在高溫高功率密度應用中的技術挑戰與探索”為題，開展了一場精彩的專家學術報告會。
會議伊始，王智強教授給予會師生介紹華中科技大學電氣與電子工程學院、寬禁帶電力電子創新團隊、功率半導體的縱向環節研究以及800m2國内一流的功率半導體封裝集成與電力電子技術研究實驗室等情況，并運用通俗的事例形象地說明電力電子技術的原理，介紹半導體材料對于電力電子變換器效率提升的重要性，講述了半導體材料最新的發展現狀以及遇到的現實難題。
圖1 王智強教授報告現場
接着，王智強教授向我們介紹了有關碳化矽（SiC）功率半導體模塊相對傳統Si模塊具有全面的性能優勢（耐壓等級更高、開關損耗更小、工作結溫更高等），在多電飛機、電動汽車等高溫高功率應用中具有廣闊前景。然而，這些應用的發展對SiC功率模塊提出了越來越高的技術挑戰，如耐受更高環境溫度、更小的體積和重量、更高的可靠性。針對這些挑戰，王教授從SiC功率模塊封裝集成角度介紹相關前沿技術探索，包括高溫SiC功率模塊封裝集成、低感SiC功率模塊封裝、SiC功率模塊快速短路保護等技術方向做了具體闡述。
圖2 王智強教授介紹低感封裝結構
最後，同學們圍繞王智強教授的報告内容，提出自己的問題跟王教授請教交流。活動現場精彩熱烈，同學們收獲滿滿。
圖3 在場師生認真聆聽講座
圖4現場同學積極提問（1）
圖5 現場同學積極提問（2）
圖6 現場同學積極提問（3）
圖7 現場同學積極提問（4）
